Pat

J-GLOBAL ID：200903053748172841

表面処理装置

Inventor： 折付 良二 ,  鳥塚 武美 ,  竹田 智彦 ,  小野 雅史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  国際電気株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341784
Publication number (International publication number)：1993160028
Application date： Dec. 02, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】発生したプラズマを基板表面に均等に作用させて、当該基板の全表面にわたって一様な厚さの薄膜を生成し、もしくは均一なエッチングを施す。【構成】高周波電力エネルギーにより生成されるプラズマ空間に分布するプラズマ空間分布インピーダンス1(Z11〜Z1n)に対して、直列に膜厚調整用もしくはエッチング量調整用の分布インピーダンス手段2(Z21〜Z2m)を挿入する。【効果】成膜チャンバーのプラズマ空間に生成される高周波電界の等電位面が均一になり、生成する膜厚あるいはエッチング量が基板の全面にわたって一様なものとなる。

Claim (excerpt)：

真空雰囲気空間を保持するチャンバー内に設置された高周波電極と、この高周波電極に対峙して平行設置された基板電極とを少なくとも有し、前記チャンバーに導入した反応ガスをプラズマ化することにより前記基板電極上に載置した基板に成膜もしくはエッチング加工を施す表面処理装置において、前記高周波電極と前記基板電極との間に、前記高周波電極と前記基板電極との空間に形成されるプラズマ空間分布インピーダンスを調整する分布インピーダンス手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。