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J-GLOBAL ID：200903053748643720

半導体発光装置

Inventor：
森下 由紀子

About 森下 由紀子


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001058147
Publication number (International publication number)：2002261376
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ジャンクションダウン方式でマウントを行なっても閾値電流Ithが大きくならない半導体発光装置を提供する。【解決手段】 半導体発光装置の一例である半導体レーザ装置は、半導体発光素子チップとしての半導体レーザチップ430と、マウント部材としてのサブマウント410とを備え、半導体レーザチップ430は、GaN基板401を含む。半導体レーザチップ430は、サブマウント410の載置面に対して積層体402を向けるようにハンダ412を介して接着されており、サブマウント410は、GaN基板401の材料であるGaNより熱膨張係数が大きい材料を含む。
Claim (excerpt)：
チップ基板と前記チップ基板の表面に半導体層を積層した積層体とを含む半導体発光素子チップと、載置面を有するマウント部材とを備え、前記半導体発光素子チップは、前記マウント部材の前記載置面に対して前記積層体を向けるように接続しており、前記マウント部材は、前記チップ基板の材料より熱膨張係数が大きい材料を含む、半導体発光装置。
IPC (2)：
H01S 5/022 ,  H01L 21/52
FI (2)：
H01S 5/022 ,  H01L 21/52 A
F-Term (24)：
5F047AA19 ,  5F047AB06 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06 ,  5F047BA17 ,  5F047BA18 ,  5F047BA19 ,  5F047BA34 ,  5F047BA39 ,  5F047BA53 ,  5F047BB01 ,  5F047BB11 ,  5F047CA08 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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