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J-GLOBAL ID：200903053751942372

パターンデータ補正方法、電子線描画方法、フォトマスク及びその作製方法、露光方法、半導体装置及びその製造方法、並びにパターンデータ補正装置

Inventor： 大沼 英寿
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997090767
Publication number (International publication number)：1998282635
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】設計パターンデータの近接効果及び/又は光近接効果の補正のために、設計パターンの線幅と間隔を実用的な速度で求め得る方法を含むパターンデータ補正方法を提供する。【解決手段】複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正方法は、(イ)設計パターンデータを階層領域ビットマップ化したビットマップデータを作成する工程、(ロ)設計パターンの線幅、及び該設計パターンに隣接する設計パターンとの間の間隔を該ビットマップデータから求める工程、及び、(ハ)近接効果及び/又は光近接効果の補正のために、求められた設計パターンの線幅及び間隔に基づき設計パターンデータの補正を行う工程を具備する。

Claim (excerpt)：

複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正方法であって、(イ)設計パターンデータを階層領域ビットマップ化したビットマップデータを作成する工程、(ロ)設計パターンの線幅、及び該設計パターンに隣接する設計パターンとの間の間隔を該ビットマップデータから求める工程、及び、(ハ)近接効果及び/又は光近接効果の補正のために、求められた設計パターンの線幅及び間隔に基づき設計パターンデータの補正を行う工程、を具備することを特徴とするパターンデータ補正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P