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J-GLOBAL ID：200903053753680502

半導体デバイス異物分析装置およびシステム

Inventor： 伊部 英史 ,  江口 欣也 ,  中野 朝雄 ,  杉本 有俊 ,  水野 文夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000314426
Publication number (International publication number)：2002116184
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】高集積度半導体デバイスの歩留り向上と分析の高速、高効率化。【解決手段】異物、汚染部からレーザアブレーション法により得られるイオンからイオン2次元イメージ像を得ることによる半導体デバイスの分析方法とその分析工程を含む半導体デバイスの製造方法。特に0.1mm径異物を分析しうる空間分解能と検出感度を同時に満たすイオン光学系を有する上記方法。

Claim (excerpt)：

メモリ、ASIC、液晶、デイスク、など半導体デバイスの表面の微小部の異物または汚染部を含む領域にデバイスの位置決め駆動装置によりレーザビームの照射スポットを合わせ、レーザビームを照射し、異物または汚染部を蒸発、イオン化することにより、異物/汚染部の化学組成、構造を分析し、必要に応じて除去する装置および工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

G01N 27/64 ,  G01N 27/62 ,  H01J 49/40 ,  H01L 21/66

FI (4)：

G01N 27/64 B ,  G01N 27/62 K ,  H01J 49/40 ,  H01L 21/66 L

F-Term (8)：

4M106AA01 ,  4M106CA70 ,  4M106CB21 ,  4M106CB30 ,  4M106DH01 ,  4M106DH24 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ04