磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101416
Publication number (International publication number)：2000331319
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】バイアスポイントの設計が容易で、高感度且つ高信頼性を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】スピンバルブにおいて、フリー層は、印加磁界がゼロの時に前記第2の強磁性体層の磁化方向に対してある角度を成す磁化方向を有し、固着層は、相互に反強磁性的に結合された一対の強磁性体膜とこれらを反強磁性的に結合する結合膜とを含み、さらに、固着層の一対の強磁性体膜のいずれか一方の磁化を所望の方向に維持する手段と、前記第1の強磁性体層と前記非磁性スペーサ層とが接する膜面と反対側の面にて第1の強磁性体層に接する非磁性高導電層と、を設けることにより、良好なバイアスポイントを維持しつつ、極めて感度の高い磁気抵抗効果素子を実現することができる。

Claim (excerpt)：

非磁性スペーサ層と、前記非磁性体スペーサ層によって互いに分離された第1の強磁性体層と第2の強磁性体層と、を備え、前記第1の強磁性体層は、印加磁界がゼロの時に前記第2の強磁性体層の磁化方向に対してある角度を成す磁化方向を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第1の強磁性体層と前記非磁性スペーサ層とが接する膜面と反対側の面にて第1の強磁性体層に接する非磁性高導電層を有し、さらに、比抵抗10μΩcmのCuに換算した前記非磁性高導電層の膜厚をt(HCL)、前記第2の強磁性体層の膜厚を1Tの飽和磁化で換算した磁気膜厚をtm(pin)としたときに、0.5nm≦tm(pin)+t(HCL)≦4nm、且つt(HCL)≧0.5nmを満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (9)：

G11B 5/39 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/26 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/08

FI (9)：

G11B 5/39 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/26 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-097072 Applicant：株式会社東芝

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