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J-GLOBAL ID：200903053778824959

半導体光素子及びその駆動方法

Inventor： 山本 剛之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993336960
Publication number (International publication number)：1995202337
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、光通信に用いられる半導体光増幅器に関し、飽和出力が高く、かつ偏波依存性が小さい半導体光増幅器であって、しかも素子作成上のばらつきや使用環境の変化に対して偏波依存を抑制する。【構成】第1の電流を注入して主として横磁界(TM)光を増幅する第1の活性層2と、第2の電流を注入して主として横電界(TE)光を増幅する第2の活性層4と、第1の活性層2と第2の活性層4の層間に介在し、第1の活性層2に第1の電流を流し、かつ第2の活性層4に第2の電流を流すための共通の電極となる電極層3と、第1の活性層2,電極層3及び第2の活性層4の3層を層方向に挟んで形成された第1のクラッド層1及び第2のクラッド層5とを含む。

Claim (excerpt)：

第1の電流を注入して主として横磁界(TM)光を増幅する第1の活性層(2)と、第2の電流を注入して主として横電界(TE)光を増幅する第2の活性層(4)と、前記第1の活性層(2)と前記第2の活性層(4)の層間に介在し、前記第1の活性層(2)に前記第1の電流を流し、かつ前記第2の活性層(4)に前記第2の電流を流すための共通の電極となる電極層(3)と、前記第1の活性層(2),前記電極層(3)及び前記第2の活性層(4)の3層を積層方向に挟んで形成された第1のクラッド層(1)及び第2のクラッド層(5)とを有することを特徴とする半導体光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06