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J-GLOBAL ID：200903053779274227

気相成長装置

Inventor：
石田 真也

About 石田 真也


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995258009
Publication number (International publication number)：1997102461
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 膜厚及び混晶比が均一な大面積のIII族-窒素化合物半導体薄膜を形成することができる気相成長装置を得る。【解決手段】 原料ガスの吹き出し口を、基板表面を含む平面から高さ方向に向かって、第1の有機金属化合物ガスの吹き出し口6a,水素化物化合物ガスの吹き出し口5a,第2の有機金属化合物ガスの吹き出し口26a,バリアガスの吹き出し口7aの順で配置した。
Claim (excerpt)：
基板を載置する載置部が内部に設けられている反応室を有し、該反応室内に導入された有機金属化合物ガスと水素化物化合物ガスとから、該載置部上に載置された基板の表面に化合物半導体膜を気相成長する装置であって、該反応室は、該反応室内部にそれぞれ独立して設けられた、原料ガスとして該有機金属化合物ガスを吹き出す2つ以上の第1の吹き出し口と、該反応室内部に該個々の第1の吹き出し口と独立して設けられた、原料ガスとして該水素化物化合物ガスを吹き出す1つあるいは複数の第2の吹き出し口とを有し、該各吹き出し口から吹き出された原料ガスが、該載置部上の基板の表面とほぼ平行に流れるよう構成されており、該反応室内部に設けられている第1及び第2の吹き出し口の数は、合計で6個以下となっている気相成長装置。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 33/00
FI (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特開平3-105915
  • 特開平2-152191
  • 気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-219157   Applicant：シャープ株式会社
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Cited by examiner (2)
  • 特開平3-105915
  • 特開平2-152191

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