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J-GLOBAL ID:200903053779822496

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997107416
Publication number (International publication number):1998303218
Application date: Apr. 24, 1997
Publication date: Nov. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、V溝を利用して微細なゲート電極を形成するに際し、寄生容量を低く抑え、且つ、抵抗も小さく維持できるようにする。【解決手段】 ソース電極21がコンタクトする半導体領域とドレイン電極22がコンタクトする半導体領域との間に在って且つ先端の頂角を狭くする為に細く絞られてチャネル層13或いはその近傍に達するV溝と、該V溝内の少なくとも細く絞られたV溝を電極材料であるNi(Inx Al1-x )で埋めて構成されたゲート電極19とを備える。
Claim (excerpt):
ソースとドレインとの間に在って且つ先端の頂角を狭くする為に細く絞られてチャネル層或いはその近傍に達するV溝と、該V溝内の少なくとも細く絞られた部分を電極材料で埋めて構成されたゲート電極とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/778
FI (3):
H01L 29/80 F ,  H01L 29/44 C ,  H01L 29/80 H

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