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J-GLOBAL ID：200903053788365600

多重量子障壁構造,及び可視光半導体レーザダイオード

Inventor： 門岩 薫 ,  元田 ▲たかし▼ ,  加藤 学
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993294861
Publication number (International publication number)：1995147449
Application date： Nov. 25, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 その実効的なポテンシャル障壁の高さが従来のMQB構造よりもはるかに高いMQB構造を得る。【構成】 同じ層厚の複数の井戸層21aと同じ層厚の複数の障壁層22aを交互に積層して構成された第1の超格子構造体31と、該第1の超格子体と連続して配置された、それぞれ、同じ層厚の複数の井戸層21bと同じ層厚の複数の障壁層22bを交互に積層して構成され、上記第1の超格子構造体31によって得られる反射率が低いエネルギ範囲の電子に対して高い反射率を示す一又は二以上の他の超格子構造体32を備えた構造とした。

Claim (excerpt)：

複数の井戸層と障壁層を交互に積層してなる超格子構造層を有する多重量子障壁構造において、上記超格子構造層は、同じ層厚の複数の井戸層と同じ層厚の複数の障壁層を交互に積層して構成された第1の超格子構造体と、該第1の超格子構造体と連続して配置された、それぞれ、同じ層厚の複数の井戸層と同じ層厚の複数の障壁層を交互に積層して構成され、上記第1の超格子構造体によって得られる反射率が低いエネルギ範囲の電子に対して高い反射率を示す一又は二以上の他の超格子構造体とを備えたものであることを特徴とする多重量子障壁構造。