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J-GLOBAL ID：200903053789440770

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 三浦 成久 ,  大石 敏之 ,  吹田 宗義 ,  南條 拓真 ,  阿部 雄次 ,  高見 哲也
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001391123
Publication number (International publication number)：2003197642
Application date： Dec. 25, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低コストでかつ高い信頼性を有するとともに、III-V族半導体基板と電極とのオーミック接触を実現した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置1は、窒素を含むIII-V族半導体を有する基板2と、基板2の表面に形成された不純物拡散領域4と、基板2の表面において、不純物拡散領域4が形成された領域以外の領域上に形成され、不純物拡散領域4に含まれる不純物と同じ不純物を含む基板保護膜3と、不純物拡散領域4上に配置され、不純物拡散領域4と接触する電極5とを備える。

Claim (excerpt)：

窒素を含むIII-V族半導体を有する基板と、前記基板の表面に形成された不純物拡散領域と、前記基板の表面において、前記不純物拡散領域が形成された領域以外の領域上に形成され、前記不純物拡散領域に含まれる不純物と同じ不純物を含む基板保護膜と、前記不純物拡散領域と接触する電極とを備える、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/812

FI (6)：

H01L 21/22 C ,  H01L 21/22 S ,  H01L 21/225 C ,  H01L 21/225 D ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F

F-Term (36)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD68 ,  4M104EE09 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR15 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC05 ,  5F102HC10 ,  5F102HC18 ,  5F102HC21