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J-GLOBAL ID：200903053797837069
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991163134
Publication number (International publication number)：1993013706
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、十分なキャパシタ容量を確保することができ、信頼性の高いキャパシタを提供することを目的とする。【構成】 第1の電極と、2の電極と、これらの電極間に挟持されたキャパシタ絶縁膜とを備えたキャパシタを具備した半導体装置において、前記キャパシタ絶縁膜が、異なる禁制帯幅を有する2種類以上の金属酸化膜の積層体で構成されている。
Claim (excerpt)：
第1の電極と、2の電極と、これらの電極間に挟持されたキャパシタ絶縁膜とを備えたキャパシタを具備した半導体装置において、前記キャパシタ絶縁膜が、異なる禁制帯幅を有する2種類以上の金属酸化膜の積層体で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 27/108
, H01L 21/316
