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J-GLOBAL ID:200903053815711337
アッシング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
岡本 啓三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997255564
Publication number (International publication number):1999097421
Application date: Sep. 19, 1997
Publication date: Apr. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】変質層を含むアッシング方法に関し、パーティクルの発生、スループットを向上すること。【解決手段】下地層上にレジストを形成する工程と、前記下地層及び前記レジストに元素をイオン注入する工程と、酸素ラジカルを含むラジカル雰囲気に前記下地層を置いて前記レジストの表面に形成された前記元素を含む上部層をアッシングする工程と、前記ラジカル雰囲気中の酸素ラジカルの量を増加して前記レジストの残部をアッシングする工程を有する。
Claim (excerpt):
下地層上にレジストを形成する工程と、前記下地層及び前記レジストに元素をイオン注入する工程と、酸素ラジカルを含むラジカル雰囲気に前記下地層を置いて、前記レジストの表面に形成された前記元素を含む上部層をアッシングする工程と、前記ラジカル雰囲気中の前記酸素ラジカルの量を増加して前記レジストの残部をアッシングする工程とを有することを特徴とするアッシング方法。
IPC (2):
H01L 21/3065
, H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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アッシング方法及びアッシング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-324166
Applicant:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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基板表面のプラズマ洗浄方法とウエハのフオトレジスト・プラズマ洗浄方法と基板表面の洗浄装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-143980
Applicant:マツトソン・テクノロジー・インコーポレイテツド
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特開平2-183524
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レジストの除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-284091
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭61-107730
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