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J-GLOBAL ID：200903053817868659

半導体レーザ装置

Inventor： 小川 勝
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014311
Publication number (International publication number)：1995221405
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 部品点数を増加させることなく、かつ、組み立て工数を増加させることなくサージ電流対策ができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 セラミック誘電体部2とセラミック誘電体部2を挟む電極3,4を含むセラミックコンデンサチップC1と、半導体レーザチップ1とを備え、半導体レーザチップ1の電気的接続を要する一方の面がシリコンサブマウント基台5を介して電極3に固定されて電気的に接続されている。【効果】 駆動回路からのサージ電流を吸収するセラミックコンデンサチップC1が半導体レーザチップ1と一体である。

Claim (excerpt)：

誘電体部とこの誘電体部を挟む電極を含むセラミックコンデンサチップと、半導体レーザチップとを備え、上記半導体レーザチップの電気的接続を要する一方の面が上記セラミックコンデンサチップの一方の電極に電気的に接続されるように、上記一方の電極に上記半導体レーザチップがマウントされており、上記半導体レーザチップの電気的接続を要する他方の面が上記セラミックコンデンサチップの他方の電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/096

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-119051
  
• 特開昭62-045193
  
• 特開昭62-130585