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J-GLOBAL ID：200903053820271272
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995207204
Publication number (International publication number)：1997055560
Application date： Aug. 14, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：
【要約】【課題】 良質で厚膜のクラッド層を形成して、量産性に優れ、電気特性および光学特性が良好な半導体レーザおよび発光ダイオードを実現する。【解決手段】 n型下部クラッド層4中に薄層のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層5が形成され、p型上部クラッド層7中に薄層のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層8が形成されている。n型Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<y<1)クラッド層4a/Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層5を繰り返して成長し、p型Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<y<1)クラッド層7a/Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層8を繰り返して成長することにより、下部クラッド層4および上部クラッド層7を約1μm成長できる。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも下部クラッド層と、活性層または発光層と、上部クラッド層とが基板側からこの順に形成され、該下部クラッド層中および上部クラッド層中に、緩衝層が単層または複数層形成されている化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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