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J-GLOBAL ID：200903053823938316

ドットずれ検出方法、ドットずれ検出プログラムおよび基準直線取得方法、並びにドットずれ検出装置および液滴吐出装置

Inventor：
伊藤 芳博

About 伊藤 芳博


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005105757
Publication number (International publication number)：2006284406
Application date： Apr. 01, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：
【課題】 容易かつ迅速にドットずれを検出することができるドットずれ検出方法、ドットずれ検出プログラムおよび基準直線取得方法、並びにドットずれ検出装置および液滴吐出装置を提供する。【解決手段】 ドット列の電子画像を取得する画像取得ステップ(S1)と、各ドットの位置測定点を取得するドット測定点取得ステップ(S2)と、第1の基準直線を取得する第1の基準直線取得ステップ(S3)と、第1の基準直線と各ドットの位置測定点との距離データを取得する第1回目のずれ量取得ステップ(S4)と、各ドットの位置測定点のうち、距離データが規定した範囲を超える測定点を排除するデータ排除ステップ(S6)と、第2の基準直線を取得する第2の基準直線取得ステップ(S7)と、第2の基準直線と各ドットの距離データを取得する第2回目のずれ量取得ステップ(S8)とを有する。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
吐出ヘッドのノズルから吐出された液滴が検査ワーク上に着弾して得られたドットの位置ずれを検出するドットずれ検出方法であって、 前記検査ワーク上に形成されたドット列の電子画像を取得する画像取得ステップと、 前記電子画像を画像処理することにより、前記ドット列の各ドットの位置測定点を取得するドット測定点取得ステップと、 前記各ドットの位置測定点に基づいて第1の直線近似法により、第1の基準直線を取得する第1の基準直線取得ステップと、 前記第1の基準直線と前記各ドットの位置測定点との距離データを取得する第1回目のずれ量取得ステップと、 前記各ドットの位置測定点のうち、前記距離データが規定した範囲を超える測定点を排除するデータ排除ステップと、 前記各ドットの位置測定点に基づいて第2の直線近似法により、第2の基準直線を取得する第2の基準直線取得ステップと、 前記第2の基準直線と前記各ドットの距離データを取得することにより、前記各ドットの位置ずれ量に関する情報を取得する第2回目のずれ量取得ステップと、を有することを特徴とするドットずれ検出方法。
IPC (7)：
G01B 11/00 ,  B05C 5/00 ,  B05C 11/00 ,  B05D 1/26 ,  B05D 3/00 ,  B41J 29/46 ,  B41J 2/01
FI (7)：
G01B11/00 H ,  B05C5/00 101 ,  B05C11/00 ,  B05D1/26 Z ,  B05D3/00 D ,  B41J29/46 C ,  B41J3/04 101Z
F-Term (39)：
2C056EA07 ,  2C056EB27 ,  2C056EB36 ,  2C056KD06 ,  2C061AQ05 ,  2C061KK18 ,  2C061KK26 ,  2C061KK28 ,  2F065AA03 ,  2F065AA07 ,  2F065AA14 ,  2F065BB02 ,  2F065BB28 ,  2F065CC25 ,  2F065DD06 ,  2F065DD19 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065JJ03 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ28 ,  2F065TT08 ,  2F065UU05 ,  4D075AC07 ,  4D075AC93 ,  4F041AA02 ,  4F041AA05 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4F041BA22 ,  4F041BA34 ,  4F041BA38 ,  4F042AA02 ,  4F042AA06 ,  4F042AB00 ,  4F042BA08 ,  4F042DH09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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