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J-GLOBAL ID：200903053841210710

半導体装置並びに半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜用組成物

Inventor： 湯佐 正己 ,  武田 信司 ,  宮寺 康夫
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259521
Publication number (International publication number)：1993102125
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】 下記化1〔一般式(I)〕で表わされる構成単位を含む含フツ素ポリベンゾオキサゾール、例えば、5-パーフルオロノネニルオキシイソフタル酸ジクロライドと3,3′-ジヒドロキシ-4,4′-ジアミノビフェニルの反応によって得られる樹脂を半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として用いてなる半導体装置。【化1】〔ただし、一般式(I)中、Rfは-CnF2n-1(ここで、nは6〜12の整数である)を示し、ベンゼン環の水素は置換されていてもよく、Xは芳香環を含む四価の有機基を示し、2組のNとOはそれぞれ五員環を形成するようにX内の芳香環に互いにオルト位に結合している〕【効果】 上記半導体装置は耐湿性に優れ、低誘電率の層間絶縁膜及び/又は表面保護膜を有する。

Claim (excerpt)：

化1〔一般式(I)〕【化1】〔ただし、一般式(I)中、Rfは-CnF2n-1(ここで、nは6〜12の整数である)を示し、ベンゼン環の水素は置換されていてもよく、Xは芳香環を含む四価の有機基を示し、2組のNとOはそれぞれ五員環を形成するようにX内の芳香環に互いにオルト位に結合している〕で表わされる構成単位を含む含フツ素ポリベンゾオキサゾールを含有してなる樹脂膜を半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として用いてなる半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/22 NTR ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31