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J-GLOBAL ID：200903053858864021

MOS型電力装置の製造方法

Inventor： ジュゼッペ フェルラ ,  フェルッチオ フリシーナ
Applicant, Patent owner： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エッセ エッレ エーレ ,  コンソルツィオ ペル ラ リセルカ スーラ マイクロエレットロニカ ネル メッツォジオルノ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995155983
Publication number (International publication number)：1996017849
Application date： Jun. 22, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 長時間高温の熱処理を行うことなくMOS型電力装置を製造できるようにする。【構成】 P型エピタキシャル層3の表面上に絶縁ゲート層8を形成する。次いで、絶縁ゲート層8を選択的に除去する。次いで、P型ドーパントをN型エピタキシャル層3に選択的にイオン注入する。次いで、P型ドーパントを、傾斜角度α1、α2でN型エピタキシャル層3にそれぞれイオン注入する。基本セル1が方形面の場合にはこの工程が4回行われる。次いで、多ドース量のN型ドーパントを、多量ドープ部5にイオン注入して、絶縁ゲート層8の端部にほぼ整列したソース領域7を形成する。

Claim (excerpt)：

熱処理を行わずにMOS型電力装置を製造するに当たり、a)第1導電型の少量ドープ半導体材料層(3)の表面上に導電性の絶縁ゲート層(8)を形成し、b)前記半導体材料層(3)表面の選択部分から前記絶縁ゲート層(8)を選択的に除去し、c)イオン注入直後に第2導電型の第1ドーパントのあらゆる熱拡散工程を行うことなく、前記絶縁ゲート層(8)の端部にほぼ整列された多量ドープ領域(5)を得るのに適切なドース量及びイオン注入エネルギーで、マスクとして作用する前記絶縁ゲート層(8)を用いて、前記第1ドーパントを前記半導体材料層(3)の前記選択部分に選択的にイオン注入し、d)イオン注入直後に第2導電型の第2ドーパントのあらゆる熱拡散工程を行うことなく、前記絶縁ゲート層(8)の下に延在する少量ドープチャネル領域(6)を得るのに適切なドース量及びイオン注入エネルギーで、マスクとして作用する前記絶縁ゲート層(8)を用いて、前記半導体材料層(3)の表面に直交する方向に対して規定された角度(α1,α2)で傾斜した方向に沿って前記第2ドーパントを選択的にイオン注入し、e)多ドース量の第1導電型の第3ドーパントを前記多量ドープ領域(5)にイオン注入して前記絶縁ゲート層(8)の端部にほぼ整列されたソース領域(7)を形成することを特徴とするMOS型電力装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 652 B