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J-GLOBAL ID：200903053862465409

半導体装置の実装方法

Inventor： 菊地 正義
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991216589
Publication number (International publication number)：1993041407
Application date： Aug. 02, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【構成】 ウエハ上11に封止樹脂15を均一に形成して、その後、ウエハ11を個々の半導体装置19に分割し、その後、基板33に半導体装置19を圧接して、半導体装置19と基板33との接続と、封止樹脂15による樹脂封止とを同時に行う。【効果】 封止樹脂の半導体装置外周からのはみ出し量を適切に制御することが可能となる。このため、隣接する半導体装置の接続を阻害することがなくなる。さらに、封止樹脂が液晶等の表示装置のシール部に浸入することも防止することが可能で、表示装置の表示品質が劣化することを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

ウエハの全面に、絶縁性を有する封止樹脂、あるいは絶縁性を有する封止樹脂に導電性粒子を混入した封止樹脂を塗布する工程と、該ウエハを分割して半導体装置を形成する工程と、該半導体装置を基板に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56