Pat

J-GLOBAL ID：200903053870292386

青色発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114542
Publication number (International publication number)：1994209120
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を450nm〜490nmの青色領域とできる新規な構造を提供する。【構成】 n型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層3と、p型不純物がドープされたIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<0.5)層4と、p型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(bは0≦b<1)層5とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する青色発光素子。

Claim (excerpt)：

n型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、p型不純物がドープされたIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<0.5)層と、p型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(bは0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-321280
  
• 特開平2-229475
  
• 特開昭59-228776