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J-GLOBAL ID：200903053880993366

ITO透明導電膜用スパッタリングターゲットとその製造方法

Inventor： 光井 彰 ,  原納 猛
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992056771
Publication number (International publication number)：1993222526
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 31, 1993
Summary：

【要約】【構成】In2 O3 -SnO2 粉末と、In-Sn粉末とを混合した粉末を、真空中または非酸化性雰囲気中でホットプレスして、酸素含有量が8〜17重量%と低いITOターゲットを製造する。また、これにより得られたターゲット。【効果】スパッタリングにより成膜する際、雰囲気ガス中の酸素分率を厳密にコントロールしなくても、広い範囲で安定して低抵抗のITO膜を成膜できる。

Claim (excerpt)：

In2O3 、SnO2、In2O3-SnO2複合酸化物の3種のうち少なくとも1種と、In、Sn、In-Sn 合金の3種のうち少なくとも1種とからなることを特徴とするITO透明導電膜用スパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00