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J-GLOBAL ID：200903053883875674

製造装置、結晶製造方法、基板製造方法、窒化ガリウム結晶及び窒化ガリウム基板

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 立石 篤司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007198607
Publication number (International publication number)：2008110910
Application date： Jul. 31, 2007
Publication date： May. 15, 2008
Summary：
【課題】均質で高品質な塊状のIII族窒化物結晶を安価に製造する。【解決手段】製造装置1000は、結晶作製装置100と結晶成長装置500を備えている。結晶作製装置100は、金属Naと金属Gaとを含む混合融液に窒素ガスを供給して第1のGaN結晶を作製する。この第1のGaN結晶は、転位密度が小さく(≦105cm-2)高品質である。第1のGaN結晶は、スライス及び研磨され、GaNウエハが作製される。結晶成長装置500は、作製されたGaNウエハを基板として、HVPE法によって基板上に第2のGaN結晶を結晶成長させ、塊状のGaN結晶を製造する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物結晶を製造する製造装置であって、 フラックス法によって作製された第1のIII族窒化物結晶上に、気相成長法を用いて第2のIII族窒化物結晶を結晶成長させる結晶成長装置を備える製造装置。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  C30B 25/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C30B9/00 ,  C30B25/20 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (23)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077DB04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH09 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077LA01 ,  4G077TB02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AP30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第3788037号公報
Cited by examiner (6)
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