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J-GLOBAL ID：200903053887238580
ITOスパッタリング用ターゲットの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039701
Publication number (International publication number)：1997228036
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 枚葉式スパッタ装置に使用するのに好適な、理論密度の97%を超える十分に高密度で、かつ継ぎ目のない一体品の大面積ITO焼結ターゲットを安定して製造する方法を提供すること。【解決手段】 粒度分布から求めた平均粒径が0.8〜2μm、BET表面積が3〜5m2 /gである酸化インジウム粉末と粒度分布から求めた平均粒径が2μm以下の酸化すず粉末を用い、原料粉末を混合した後、乾式ボールミル処理を行い、次いでバインダーを添加してプレス成形を行い、得られた成形体を再び粉砕して粒度を整え、この粉末を用いてプレス成形し、得られた成形体を加圧酸素雰囲気中で1550°C以上の焼結温度で焼結し、この時成形体を焼結温度にまで加熱・昇温するに際し、室温〜800°Cまで昇温した後、一旦昇温を停止して800°Cに保持し、その後、800°C〜焼結温度にまで昇温する速度を1時間に350°C以上とすることを特徴とする、ITOスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Claim (excerpt)：
酸化インジウムと酸化すずを主成分とするITOスパッタリング用ターゲットを製造するに際し、粒度分布から求めた平均粒径が0.8〜2μm、BET表面積が3〜5m2 /gである酸化インジウム粉末と粒度分布から求めた平均粒径が2μm以下の酸化すず粉末を用い、原料粉末を混合した後、乾式ボールミル処理を行い、次いでバインダーを添加してプレス成形を行い、得られた成形体を再び粉砕して粒度を整え、この粉末を用いてプレス成形を行い、得られた成形体を加圧酸素雰囲気中で1550°C以上1700°Cまでの焼結温度で焼結し、この時成形体を焼結温度にまで加熱・昇温するに際し、室温から800°Cまで昇温した後、一旦昇温を停止して800°Cに保持し、その後、800°Cから焼結温度にまで昇温する速度を1時間に350°C以上とすることを特徴とする、ITOスパッタリング用ターゲットの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/00 R
