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J-GLOBAL ID：200903053889434319
気相成長装置および気相成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202087
Publication number (International publication number)：1993047674
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 CVD 装置に関し,大面積の基板上に厚さおよび組成が均一な半導体結晶を成長可能とすることを目的とする。【構成】 基板が載置されるサセプタに対向して第2のサセプタを設け, 第1のサセプタの温度を原料ガスの分解温度以下に, 該第2のサセプタを原料ガスの分解温度より高く保持して結晶成長を行う。基板表面近傍における空間温度分布が基板面に沿って平坦になるように, 両サセプタの相対位置を調節する機構を設ける。
Claim (excerpt)：
原料ガスが導入される一端と該原料ガスが排出される他端とを有する反応管と,該原料ガスの成分元素から成る結晶を成長させる基板を載置するための一表面を有し該表面が該反応管内における該原料ガスの流れに平行になるように支持され且つ該反応管の内部において該両端の間に配置された第1のサセプタと,その一表面が該第1のサセプタの前記表面と平行に対向するようにして支持され且つ該反応間の内部において該両端の間に配置された第2のサセプタと,該第1および第2のサセプタを各々の所定温度に加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2)：
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