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J-GLOBAL ID：200903053892607941
超電導体の製造方法及び超電導体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (2)：
工業技術院化学技術研究所長 (外1名)
, 池浦 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990414440
Publication number (International publication number)：1993147941
Application date： Dec. 26, 1990
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 超導電性複合金属酸化物を製造する際に、その酸化物と基体との反応を防止して、安定性の良い超導電体を製造する。【構成】 表面に貴金属膜を有していてもよい基材上に形成された炭酸バリウム、希土類金属酸化物及び銅酸化物からなる無機質膜を、酸素濃度が1vol%以下の不活性ガス雰囲気下又は酸素分圧が0.01atm(絶対圧)以下の減圧下において該膜と基材及び/又は貴金属膜との間の反応を実質的に生じさせない温度で焼成して該膜中に含まれる炭酸バリウムから炭酸ガスを除去しつつ炭酸バリウムと希土類酸化物と銅酸化物を反応させた後、次いで得られる金属酸化物膜と基材及び/又は貴金属膜との間の反応を実質的に生じさせない温度で分子状酸素により高温酸化してバリウム、希土類金属及び銅からなる複合金属酸化物膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。
Claim (excerpt)：
表面に貴金属膜を有していてもよい基材上に形成された炭酸バリウム、希土類金属酸化物及び銅酸化物からなる無機質膜を、酸素濃度が1vol%以下の不活性ガス雰囲気下又は酸素分圧が0.01atm(絶対圧)以下の減圧下において該膜と基材及び/又は貴金属膜との間の反応を実質的に生じさせない温度で焼成して該膜中に含まれる炭酸バリウムから炭酸ガスを除去しつつ炭酸バリウムと希土類酸化物と銅酸化物を反応させた後、次いで得られた金属酸化物膜と基材及び/又は貴金属膜との間の反応を実質的に生じさせない温度で分子状酸素により高温酸化してバリウム、希土類金属及び銅からなる複合金属酸化物膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。
IPC (5)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
