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J-GLOBAL ID：200903053898153403
ZnO薄膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮▼崎▲ 主税 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993281414
Publication number (International publication number)：1995135440
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 緻密であり、c軸配向性に優れ、かつ比抵抗ρの大きなZnO薄膜を得ることを可能とする方法を提供する。【構成】 ECRスパッタ装置1を用い、ZnO薄膜を形成するにあたり、ターゲット12として、Zn100重量%に対し、Cu及びNiの少なくとも1種を合計で0.5〜10重量%の範囲で添加してなる混合物よりなるターゲットを用いる、ZnO薄膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
ECRスパッタ装置によりZnO薄膜を形成する方法において、ターゲットとして、Znを100重量%に対し、Cu及びNiの少なくとも1種を合計で0.5〜10重量%の範囲で添加してなる混合物よりなるターゲットを用いることを特徴とする、ZnO薄膜の形成方法。
IPC (5)：
H03H 3/02
, C01G 9/02
, C23C 14/34
, H01L 41/24
, H03H 3/08
