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J-GLOBAL ID：200903053902806247

単結晶引上装置

Inventor： 稲見 修一 ,  藤原 俊幸 ,  藤原 秀樹
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130769
Publication number (International publication number)：1996325090
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】【目的】 熱遮蔽治具による単結晶への坩堝及びヒータの輻射熱の遮断効果を上げる。【構成】 単結晶16と坩堝11との間に配設する熱遮蔽治具1の構造を、輻射熱の温度域における耐熱性を有する黒鉛等の母材1aを、輻射熱の温度域における耐熱性を有するとともに、単結晶16に面する側を、母材1aより小さい輻射率を有する石英等の被覆材1bで覆った多層構造とする。

Claim (excerpt)：

坩堝をその外壁からヒータで加熱して坩堝内の多結晶原料を溶融し、引上軸に固定した種結晶の先端を多結晶原料の溶融液に浸して引上軸を回転させて引き上げながら種結晶の下端に単結晶を成長させるとともに、単結晶と、溶融液の液面から上に露出している坩堝との間に、単結晶へのヒータ及び坩堝からの輻射熱を遮断する熱遮蔽治具が配されてなる単結晶引上装置において、前記熱遮蔽治具は、前記輻射熱の温度域における耐熱性を有する第1の素材が、第1の素材より輻射率が小さい第2の素材により被覆されている層構造であることを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (4)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 F ,  H01L 21/208 P