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J-GLOBAL ID：200903053916245744

低シリカX型ゼオライトの製造方法

Inventor： 河本 泰三 ,  西村 透 ,  稲岡 亘
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209847
Publication number (International publication number)：1998053410
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】シリカ/アルミナのモル比2.20〜2.40の低シリカX型ゼオライトを提供し、更にカリウム塩を添加することなく、X型ゼオライトを合成する温度条件の範囲において、シリカ/アルミナのモル比2.20〜2.40の低シリカX型ゼオライトを製造する方法を提供する。【解決手段】2.4〜2.7Na2O・Al2O3・2.7〜2.8SiO2・120〜140H2Oからなる混合ゲルを35°C以下の温度で熟成した後、85〜95°Cの温度で結晶化させることを特徴とするシリカ/アルミナのモル比が2.20〜2.40の低シリカX型ゼオライトの製造方法を用いる。

Claim (excerpt)：

2.4〜2.7Na2O・Al2O3・2.7〜2.8SiO2・120〜140H2Oからなる混合ゲルを35°C以下の温度で熟成した後、85〜95°Cの温度で結晶化させることを特徴とするシリカ/アルミナのモル比が2.20〜2.40の低シリカX型ゼオライトの製造方法。

IPC (4)：

C01B 39/22 ,  B01D 53/02 ,  B01J 20/18 ,  C01B 13/02

FI (4)：

C01B 39/22 ,  B01D 53/02 Z ,  B01J 20/18 B ,  C01B 13/02 A