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J-GLOBAL ID：200903053918289536

半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： 横田 昇
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995289516
Publication number (International publication number)：1997134967
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の基本セルに関し、不純物拡散層のコンタクト部の配置間隔と配線間隔とを同一とすることなく、不純物拡散層上に多くの配線を配置してトランジスタ使用率を高める。【解決手段】 1対のp型の電界効果トランジスタTP1, TP2及び1対のn型の電界効果トランジスタTN1, TN2と、このn型及びp型の電界効果トランジスタTN1, TN2のソース及びドレインとなる不純物拡散層12,13,16,19,21,24に配置するコンタクト部と、このコンタクト部の配置間隔よりも細かい配線ピッチで配置する多層配線とを備えた基本セルを有している。

Claim (excerpt)：

1対のp型の電界効果トランジスタ及び1対のn型の電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲートの両側に位置した不純物拡散層にそれぞれ形成されるコンタクト部と、前記電界効果トランジスタのゲート方向に沿って配置され、該電界効果トランジスタの不純物拡散層のコンタクト部の配置間隔よりも狭い配線間隔で配置される配線とを備えた基本セルを有していることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/118 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 27/08 321 J ,  H01L 21/82 M ,  H01L 21/88 A