Pat
J-GLOBAL ID：200903053918790677

検査用パタ-ン及び検査方法

Inventor：
西尾 直治

About 西尾 直治


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999003773
Publication number (International publication number)：2000208581
Application date： Jan. 11, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板と他の配線とを導通させるコンタクトホールが、本来は導通しない導電性パターンとの間で短絡するといった欠陥を簡便に検出することができる検査用パターン及び検査方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板21上に形成される検査用パターンは、シリコン基板21から絶縁された複数のポリシリコン配線層104と、ポリシリコン配線層104に対応して配設されシリコン基板21に導通し且つポリシリコン配線層104からサイドウォール24を介して絶縁された複数のコンタクトホール101から成る第1のコンタクト列と、ポリシリコン配線層104に対応して配設され対応する各ポリシリコン配線層104に夫々導通する複数のコンタクトホール102から成る第2のコンタクト列とを備える。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成される検査用パターンであって、前記半導体基板から絶縁された複数の導電性パターンと、前記導電性パターンに対応して配設され前記半導体基板に導通し且つ前記導電性パターンから絶縁膜を介して絶縁された複数のコンタクトホールから成る第1のコンタクト列と、前記導電性パターンに対応して配設され対応する各導電性パターンに夫々導通する複数のコンタクトホールから成る第2のコンタクト列とを備えることを特徴とする検査用パターン。
IPC (5)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 3/00
FI (5)：
H01L 21/66 Y ,  G01R 31/02 ,  H01L 21/28 C ,  H05K 3/00 T ,  H01L 21/302 J
F-Term (26)：
2G014AA03 ,  2G014AA13 ,  2G014AA15 ,  2G014AB59 ,  2G014AC09 ,  2G014AC11 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD99 ,  4M106AA01 ,  4M106AB02 ,  4M106AB03 ,  4M106BA02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA15 ,  4M106DH01 ,  4M106DH24 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ18 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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