Pat

J-GLOBAL ID：200903053929271310

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 高田 佳史
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996169763
Publication number (International publication number)：1998022236
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上に形成される絶縁膜による圧縮応力と金属配線膜による引張り応力とが、過不足なく相殺されていないため半導体基板ウエハが凸あるいは凹方向に反る。【解決手段】 スクライブライン部18における半導体基板17上に絶縁膜24、27とその上に金属配線膜26c、29cとを形成し、この金属配線膜26c、29cを例えば矩形に分割して形成面積を調整して配設することにより、膜による応力を調整する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に素子形成部とこの素子形成部を取り囲むスクライブライン部とを有し、このスクライブライン部における上記半導体基板上に絶縁膜とその上に金属配線膜とを形成した半導体装置において、上記金属配線膜を上記絶縁膜上に、形成面積を調整して所定の広さに形成して、膜による応力を調整したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/88 S