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J-GLOBAL ID：200903053931649444

薄膜半導体の製造方法

Inventor： 田舎中 博士
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996234490
Publication number (International publication number)：1998079330
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 薄膜半導体を、低コストをもって容易、確実に得ることができるようにする。【解決手段】 半導体基体の表面を多孔質層に変化させる工程と、この多孔質層に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜を上記多孔質層を介して半導体基体から剥離する工程と、多孔質層の上記半導体基体に残存する多孔質膜をエッチング除去する多孔質膜の除去工程とを採る。

Claim (excerpt)：

半導体基体表面を多孔質層に変化させる工程と、該多孔質層に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜を上記多孔質層を介して上記半導体基体から剥離する工程と上記多孔質層の上記半導体基体に残存する多孔質膜を化学薬品によるエッチングによって除去する多孔質膜の除去工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-045441   Applicant：キヤノン株式会社
• 多孔質珪素部材の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-102203   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-217168   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 日経マイクロデバイス, 199407, 1994年7月号, P.76-77