Pat

J-GLOBAL ID：200903053948093954

電界効果トランジスタ

Inventor： 野口 隆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079695
Publication number (International publication number)：1994291269
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 短チャネル効果の改善をはかるとともに、さらに全体の占有面積の縮小化をはかるものである。【構成】 第1導電型チャネルの電界効果トランジスタFET1 が形成された第1の半導体層21と、第2導電型チャネルの電界効果トランジスタFET2 が形成された第2の半導体層22とが、絶縁層を介して積層され、第1及び第2の半導体層21及び22の互いに反対側の面の互いに対向する位置に、第1及び第2の絶縁ゲート電極31及び32が形成され、第1及び第2の半導体層21及び22間に両トランジスタFET1 とFET2 とに対する共通の第3の絶縁ゲート電極33が各第1及び第2絶縁ゲート電極に対向して配置された構成とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型チャネルの電界効果トランジスタが形成された第1の半導体層と、第2導電型チャネルの電界効果トランジスタが形成された第2の半導体層とが、絶縁層23を介して積層され、上記第1及び第2の半導体層の互いに反対側の面の互いに対向する位置に、第1及び第2の絶縁ゲート電極が形成され、上記第1及び第2の半導体層間に上記両トランジスタに対する共通の第3の絶縁ゲート電極33が上記第1及び第2絶縁ゲート電極に対向して配置されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 27/092 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/08 321 G ,  H01L 29/78 301 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-102264
  
• ペプチド化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214280   Applicant：住友製薬株式会社