Pat
J-GLOBAL ID：200903053962371916

ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

Inventor：
緒方 寿幸

About 緒方 寿幸

, 
遠藤 浩太朗

About 遠藤 浩太朗

, 
辻 裕光

About 辻 裕光

, 
吉田 正昭

About 吉田 正昭


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003180258
Publication number (International publication number)：2004354953
Application date： Jun. 24, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：
【課題】半導体集積回路のリソグラフィーによるパターン加工精度として90nm以下のライン・アンド・スペース(1:1)を良好な形状で達成可能なレジスト特性を有するホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基及び(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位(a1)を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体、(B)光照射により酸を発生する酸発生剤、及び(C)フッ素原子を有する溶解抑止剤を含有していることを特徴とするホトレジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基及び(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位(a1)を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体、(B)光照射により酸を発生する酸発生剤、及び(C)フッ素原子を有する溶解抑止剤を含有していることを特徴とするホトレジスト組成物。
IPC (5)：
G03F7/039 ,  C08F32/04 ,  C08F36/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (5)：
G03F7/039 601 ,  C08F32/04 ,  C08F36/20 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
F-Term (25)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AC26R ,  4J100AL03Q ,  4J100AR11P ,  4J100AS13P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA05P ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA21 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM