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J-GLOBAL ID：200903053962852809

半導体分析装置、電位分布の測定法、不純物濃度分布の測定法及びオージェ電子スペクトル解析法

Inventor： 井手 隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997040531
Publication number (International publication number)：1998241619
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体内部の微視的な電位分布を2次元あるいは3次元的に測定することができ、さらにその結果から不純物濃度分布を見積もることのできる半導体分析装置を提供する。【解決手段】 集光した電子線を用いた電子顕微鏡に電子エネルギー分光装置を備え、電子線照射場所による電子エネルギースペクトルのエネルギーシフト量を定量的に測定することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

集光した電子線を用いた電子顕微鏡に電子エネルギー分光装置を備え、電子線照射場所による電子エネルギースペクトルのエネルギーシフト量を定量的に測定することを特徴とした半導体分析装置。

IPC (4)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/256 ,  H01J 37/305 ,  H01J 49/44

FI (4)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/256 ,  H01J 37/305 A ,  H01J 49/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特表昭59-501384
  
• 特開昭50-132988
  
• 特開昭64-086436
  
• 特開昭58-206978