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J-GLOBAL ID：200903053967363628
不揮発性半導体メモリ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992144168
Publication number (International publication number)：1993182476
Application date： Dec. 28, 1982
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】1つのメモリセルに複数ビットのデータを記憶した不揮発性半導体メモリの歩留向上、回路の簡単化。【構成】不揮発性半導体メモリセルと、このメモリセルにデータを書き込む手段と、前記メモリセルに記憶されているデータを読み出す手段と、前記メモリセルのしきい値電圧を、前記読み出されたデータにより生じる、前記メモリセルと負荷素子との接続点の電圧から検知し、またデータ書き込みとデータ読み出しに兼用するセンスアンプと、このセンスアンプの論理出力をもとに、前記メモリセルに設定すべきしきい値電圧が得られるまで、前記データの書き込みと前記データの読み出しを繰り返す論理制御回路とを具備したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
不揮発性半導体メモリセルと、このメモリセルにデータを書き込む手段と、前記メモリセルに記憶されているデータを読み出す手段と、前記メモリセルのしきい値電圧を、前記読み出されたデータにより生じる、前記メモリセルと負荷素子との接続点の電圧から検知し、またデータ書き込みとデータ読み出しに兼用するセンスアンプと、このセンスアンプの論理出力をもとに、前記メモリセルに設定すべきしきい値電圧が得られるまで、前記データの書き込みと前記データの読み出しを繰り返す論理制御回路とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (4)：
G11C 16/06
, H01L 27/10 481
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 A
, H01L 29/78 371
Cited by examiner (6)
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