半導体発光素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000357026
Publication number (International publication number)：2002164574
Application date： Nov. 24, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させ、高出力の発光素子を実現する方法を提供すること。【解決手段】 1は基板、21は第一導電型の半導体層、22は第二導電型の半導体層、20は発光層である。第一・第二導電型の半導体層21,22及び発光層20が発光領域2を形成する層であり、第一導電型の半導体層21の途中までの深さで、素子の上面からみて細長い長方形の光取り出し窓Wを4つ、エッチング加工により設ける。この場合、素子周縁部の端面Rが第一の端面発光部51であり、光取り出し窓Wの側壁部が第二の端面発光部52となる。

Claim (excerpt)：

基板上に、第一導電型の半導体層、発光層、第二導電型の半導体層からなる発光領域が少なくとも形成されている半導体発光素子において、素子周縁部のにおいて前記発光領域の端面が露出した第一の端面発光部と、それ以外の部位の発光領域において、エッチング加工により形成された凹部に端面が露出された第二端面発光部とを有し、さらに第二導電型の半導体層の上部表面は電極で実質的に覆われており、該電極の表面の一部にはワイヤーボンディング用電極が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

F-Term (11)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

LEDおよびLEDの組立方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-024950 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-077817 Applicant：ローム株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-159242 Applicant：シャープ株式会社

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