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J-GLOBAL ID：200903053995750009

半導体記憶装置

Inventor： 里 眞一 ,  芦辺 由紀子
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219680
Publication number (International publication number)：1993063162
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【構成】 同一半導体基板上に、DRAM部2,マスクROM部3及びDRAM又はマスクROMのどちらにも形成可能な領域部4を設けており配線工程時に領域部4においてDRAM又はマスクROMを選択形成する。【効果】 配線工程時に素子比を決定できるため、素子比の異なる半導体記憶装置を作成する場合、従来よりもマスク数が少なくなり、またユーザーの注文から短期間で製品を製造することが可能となる。

Claim (excerpt)：

同一半導体基板上に、少なくともマスクROMとDRAMとが形成されてなる半導体記憶装置において、一つのトランジスタに対応して、一つのキャパシタ及び一つのグランド電源供給部が形成されてなり、選択結線することによりDRAM又はマスクROMを形成する領域を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/112 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 471

FI (2)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 27/10 325 Z