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J-GLOBAL ID：200903054005004746
力トランスデューサを有する装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996141794
Publication number (International publication number)：1997008330
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 単結晶Siの微細加工で形成した微小な共振ビーム部材の共振周波数の外力による変化を利用して圧力や張力等の外力を検出する力トランスデューサ型センサを提供する。【解決手段】 垂直Aと水平Bの両断面に示すように、単結晶Si基板8の中に離隔端壁32で両端を支持された断面が矩形のビーム部材52をSiの微細加工技術により形成する。ビーム部材52の周囲の空所22は、ドーパントのイオン注入でSiをポリSiに変えた後で、エッチングによりポリSi部分を除去して形成する。またビーム部材52を共振振動させる手段、例えば容量性駆動装置と、圧電抵抗の様な振動を検出する手段とをビーム部材52と組み合わせてセンサを構成する。このセンサに圧力や張力などの外力が加えられると、ビーム部材の共振周波数が変化するので、この変化と外力の関係を校正しておけば、共振周波数の変化から外力を測定できる。
Claim (excerpt)：
上側表面を有し、n型またはp型のいずれか一方のドーパントがドープされたシリコン基板に力トランスデューサを設け、この力トランスデューサは離隔端壁を有する空所およびこの空所内に支持されるビーム部材を有し、このビーム部材を前記空所の端壁間に延在させるようにした装置を製造するに当たり、次のステップ:a) n型またはp型のいずれか一方のドーパントの層を前記基板内にイオン注入し;b) n型またはp型の他方のドーパントを含むエピタキシヤル層を前記基板の上側表面に堆積し;c) 各々がn型またはp型のいずれか一方のドーパントを含む一対の離隔シンカーを前記エピタキシヤル層を経てイオン注入して前記エピタキシヤル層との電気接続を行い; d) 前記基板を陽極酸化して前記シンカーおよび前記エピタキシヤル層の多孔質シリコンを形成し;e) 前記多孔質シリコンを酸化して二酸化シリコンを形成し;f) 前記二酸化シリコンをエッチングして前記空所およびビーム部材を形成するステップを具えることを特徴とする力トランスデューサを有する装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/84 Z
, G01L 1/10 Z
