液晶表示装置とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野寺洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999172105
Publication number (International publication number)：2001005035
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】製造工程をなるべく増加させずに下地層である半導体膜とドレイン配線の金属層との密着性を向上させる。【解決手段】絶縁基板SUB1上に形成されたゲート絶縁層GI上にa-Si半導体層ASを成膜し、さらにその上に高融点金属層HTMを成膜して、高融点金属層HTMと半導体層ASの積層膜をドライエッチングで一括加工し、その上層にモリブデンのドレイン配線DLを形成する。

Claim (excerpt)：

行および列方向に二次元配置された複数の画素と、この画素の各々に対応して設けた画素駆動用の薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタのゲート電極を各行ごとに共通接続するゲート配線と、ドレイン電極を各列ごとに共通接続するドレイン配線と、ゲート配線への駆動信号出力を制御するゲート側駆動回路と、ドレイン配線への駆動信号出力を制御するドレイン側駆動回路を有し、前記ドレイン配線が純モリブデンあるいはモリブデン合金で構成され、前記ドレイン配線の少なくとも一部が、高融点金属層と半導体層の積層膜を一括加工したパターン上に接していることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (6)：

G02F 1/1365 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 335 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/786

FI (7)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 335 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 M , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 U

F-Term (68)：

2H092HA06 , 2H092HA28 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA05 , 2H092MA12 , 2H092NA14 , 2H092NA18 , 2H092NA27 , 2H092PA08 , 4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD65 , 4M104FF13 , 4M104GG20 , 4M104HH08 , 5C094AA31 , 5C094AA36 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5F033HH17 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK18 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033MM08 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ37 , 5F033RR06 , 5F033VV15 , 5F033XX13 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HL07 , 5F110HM03 , 5F110NN24

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