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J-GLOBAL ID：200903054012169874

面発光レーザ

Inventor： 香川 俊明 ,  舘野 功太 ,  忠永 修 ,  植之原 裕行 ,  竹下 達也 ,  天野 主税
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999264824
Publication number (International publication number)：2001094208
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、低閾値化、高効率化、高信頼性及び低コスト化を達成することを目的とする。【解決手段】 第1導電型の第1のDBR、第1導電型の第2のDBR、活性層6、第2導電型の第3のDBR、第2導電型の第4のDBRを順次積層した構造を有し、同じ導電型のDBRでは活性層6に近い側のDBRの不純物ドープ濃度が遠い側のDBRの不純物ドープ濃度よりも低く、同じ導電型のDBRでは活性層に近い側のDBRの高屈折率層15,20のバンドギャップが遠い側のDBRの高屈折率層2,10のバンドギャップよりも大きく、第4のDBRを貫き第3のDBRまで達するエッチングによるローメサ構造を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを複数層有する第1のDBR、第1の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを所定層有する第2のDBR、活性層、第2の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを複数層有する第3のDBR、第2の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを所定層有する第4のDBRを順次積層した構造を有し、同じ導電型の前記DBRでは前記活性層に近い側のDBRの不純物ドープ濃度が前記活性層から遠い側のDBRの不純物ドープ濃度よりも低く、同じ導電型の前記DBRでは前記活性層に近い側のDBRの高屈折率層のバンドギャップが前記活性層から遠い側のDBRの高屈折率層のバンドギャップよりも大きく、前記第4のDBRを貫き前記第3のDBRまで達するエッチングによるローメサ構造を有することを特徴とする面発光レーザ。

F-Term (5)：

5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073EA23