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J-GLOBAL ID：200903054022807208

強誘電体薄膜キャパシタ及びその製造方法

Inventor： 西岡 泰城
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159966
Publication number (International publication number)：1996031951
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的はULSIに応用できるほどの歩留りを確保できる強誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供することにある。【構成】 本発明の一態様においては、キャパシタ用誘電体としての第1の強誘電体薄膜の形成後に非常に薄い第2の強誘電体薄膜を堆積して結晶粒の間に発生する空洞部を埋め込むことによって、リ-ク電流が小さく歩留りが高いキャパシタを形成する。他の態様においては、空洞部に絶縁層を埋め込む。

Claim (excerpt)：

第1の結晶強誘電体薄膜と該第1の薄膜より薄い第2の強誘電体薄膜の積層構造を含む強誘電体薄膜キャパシタ。

IPC (7)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 28/00 ,  C23C 30/00 ,  C30B 29/32

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭49-080598
  
• 特開昭57-167669