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J-GLOBAL ID：200903054054498258

状態保持回路を具備する集積回路

Inventor： 西井 修 ,  宮本 正文 ,  花輪 誠 ,  外村 元伸 ,  関 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267432
Publication number (International publication number)：1993110392
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】高速動作が可能で、十分小さな消費電力で動作するハードウェア・スタンバイモードを備える集積回路を提供する。【構成】コンデンサ108とスイッチ107とからなる状態保持回路を具備し、主電源が切断された時に制御信号によってスイッチ107を遮断することによってコンデンサ108に電荷を保持する。状態保持回路はCMOS回路102〜106を有し、スイッチ107を構成するMOSトランジスタのしきい電圧はCMOS回路のMOSトランジスタのしきい電圧より高く設定される。【効果】CMOS回路102〜106のしきい電圧は低い電圧に設定されているため、高速動作が可能となる。一方、スイッチ素子107のMOSトランジスタのしきい電圧は高い電圧に設定されており、リーク電流が小さくなり、状態保持特性が改善されるとともに消費電力を低減できる。

Claim (excerpt)：

コンデンサとスイッチ素子とからなる状態保持回路を具備し、主電源が切断された時に所定の電位に保たれる制御信号によって上記スイッチ素子を遮断することによって上記コンデンサに電荷を保持するように構成された半導体集積回路であって、上記状態保持回路の入力もしくは出力と上記スイッチ素子もしくは上記コンデンサとの上記コンデンサとの間に接続されたCMOS回路を有し、上記スイッチ素子を構成するMOSトランジスタのしきい電圧は上記CMOS回路のMOSトランジスタのしきい電圧より高く設定されてなることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3)：

H03K 3/356 ,  H03K 3/037 ,  H03K 19/096