Pat

J-GLOBAL ID：200903054066723303

電界放出素子の製造方法

Inventor： 服部 敦夫
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025665
Publication number (International publication number)：1998223133
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 鋭い凹部先端(カスプ)を有するモールド凹部を用いて鋭い凸状先端(チップ)を有する電界放出素子を製造する方法に関し、先鋭なカスプを有するモールド凹部にもエミッタ材料を容易に充填することのできる電界放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも表面に開口部を有する基板を準備する工程と、前記基板上に犠牲膜を堆積し、前記開口部で尖った凹部先端を有するモールド凹部を形成する工程と、前記モールド凹部を埋め込んで前記犠牲膜上に導電性超微粒子からなる膜を形成する工程と、前記犠牲膜の少なくとも前記凹部先端の部分を除去する工程とを有する電界放出素子の製造方法が提供される。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面に開口部を有する基板を準備する工程と、前記基板上に犠牲膜を堆積し、前記開口部で尖った凹部先端を有するモールド凹部を形成する工程と、前記モールド凹部を埋め込んで前記犠牲膜上に導電性超微粒子からなる膜を形成する工程と、前記犠牲膜の少なくとも前記凹部先端の部分を除去する工程とを有する電界放出素子の製造方法。