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J-GLOBAL ID：200903054067303332
パターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994256319
Publication number (International publication number)：1996124826
Application date： Oct. 21, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 パターンの配置状態によらず形成面内で均一な寸法精度のパターンで構成されるパターン列を形成する。【構成】 第1の工程で、ウエハ10上にパターン形成材料で構成される所定幅WのラインパターンLを所定間隔Dで配置してなる基本パターン列11を形成する。第2の工程で、基本パターン列11を構成するラインパターンLのうちの必要な部分を残してその外の部分を除去し、ウエハ10上に上記ラインパターンLを所定状態で配列してなる目的パターン列11aを形成する。これによって、露光,現像及び加工の際の処理効果が均一なラインパターンで目的パターン列を構成する。
Claim (excerpt)：
ウエハ上に形成したレジストパターンをマスクにして当該ウエハ表面層のパターン形成材料をエッチングするかまたは当該ウエハ上面にパターン形成材料を堆積させることによって、前記ウエハ上に前記パターン形成材料で構成される所定幅のラインパターンを配列してなる目的パターン列を形成する方法であって、前記ウエハ上に、前記ラインパターンを所定間隔で配列してなる基本パターン列を形成する第1工程と、前記基本パターン列を構成するラインパターンのうちで前記目的パターン列の構成に必要な部分を残してその外の部分を除去し、前記ウエハ上に前記目的パターン列を形成する第2工程とからなることを特徴とするパターン形成方法。
FI (3)：
H01L 21/30 502 M
, H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 507 V
