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J-GLOBAL ID:200903054067941894

成膜方法及び成膜装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 春日 讓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000008130
Publication number (International publication number):2001200362
Application date: Jan. 17, 2000
Publication date: Jul. 24, 2001
Summary:
【要約】【課題】高品質な酸化膜あるいは窒化膜を形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。【解決手段】内部に基板13,14,15が配置される真空容器20と、所要の薄膜を構成する元素の一部の元素からなる材質のターゲット10と、このターゲットの表面上に所望のマグネトロン磁場を形成するマグネット部16と、真空容器内にガスを導入する機構21,22,23,24を有している。ここで、基板上に薄膜を堆積させる成膜期間と、薄膜を堆積させない非成膜期間を交互に繰り返す成膜・非成膜手段17を備え、この成膜・非成膜手段は、上記成膜期間として、1回辺りの成膜期間中に形成される膜厚が、自然酸化膜あるいは自然窒化膜の膜厚以下となる時間とし、上記非成膜期間は、上記成膜期間中に形成された薄膜が、化学量論的組成になるまでに要する時間となるようにしている。これによって、真空容器20内にてターゲット物質と酸素あるいは窒素とを反応させ、基板上に薄膜を堆積させて酸化膜あるいは窒化膜を成膜する。
Claim (excerpt):
真空容器内にてターゲット物質と酸素あるいは窒素とを反応させ、基板上に薄膜を堆積させて酸化膜あるいは窒化膜を成膜する成膜方法において、上記基板上に薄膜を堆積させる成膜期間と、薄膜を堆積させない非成膜期間を交互に繰り返すとともに、上記成膜期間は、1回辺りの成膜期間中に形成される膜厚が、自然酸化膜あるいは自然窒化膜の膜厚以下となる時間であり、上記非成膜期間は、上記成膜期間中に形成された薄膜が、化学量論的組成になるまでに要する時間であることを特徴とする成膜方法。
IPC (4):
C23C 14/54 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35
FI (4):
C23C 14/54 C ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/08 Z ,  C23C 14/35 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭63-307606

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