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J-GLOBAL ID：200903054068188642
リチウム二次電池正極の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995093860
Publication number (International publication number)：1996287901
Application date： Apr. 19, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】電極基体上に少なくともリチウムを含む金属酸化物の膜を形成するリチウム二次電池正極の製造方法であって、形成される膜の電極基体との密着性を良好なものにでき、また、膜の結晶性を向上させることができるとともに膜中の欠陥を少なくすることができ、それにより電極基体の性能を向上させることができるリチウム二次電池正極の製造方法を提供する。【構成】基体Sに酸素ガス供給部7から酸素ガスを吹きつけながら、又は容器1内で高周波放電を起こさせながら、又は基体Sに紫外線ランプ9から電磁波を照射しながら、又はこれらを組み合わせて行いながら、少なくともリチウムを含む物質3aの蒸着及びイオン照射を行うリチウム二次電池正極の製造方法。
Claim (excerpt)：
電極基体上への少なくともリチウムを含む物質の蒸着と、該基体へのイオン照射とを併用し、酸素ガスを該基体に吹きつけながら該基体上に少なくともリチウムを含む金属酸化物の膜を形成する工程を含むことを特徴とするリチウム二次電池正極の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01M 4/04 A
, C23C 14/22 Z
