絶縁ゲート型トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210173
Publication number (International publication number)：1995066416
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】アクティブ型液晶画像表示装置に用いられる絶縁ゲート型トランジスタを自己整合化して性能を向上させるとともに、製造工程の簡略化を図る。【構成】不純物を含む非晶質シリコン層を、ゲートパターンを利用した裏面露光で選択的マスク形成を行い、陽極酸化で自己整合的に不純物を含む酸化シリコン層に変換する。【効果】絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる不純物を含む非晶質シリコン層が、ゲートと平面的に重なる長さが短くなって寄生容量が低下し、表示画像の焼付けが防止されるとともに、プラズマCVD装置が1台で絶縁ゲート型トランジスタを作製することが確保され、かつ製造工程も短縮された。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の一主面上に走査線を兼ね、ゲートとなる第1の金属層が選択的に形成され、ゲート絶縁層となる第1の絶縁層を介して不純物を含まない第1の非晶質シリコン層が前記ゲート上に形成され、前記第1の非晶質シリコン層上で前記ゲート上にゲートよりも細く自己整合的に形成された不純物を含む第2の絶縁層を除いた一対の不純物を含む第2の非晶質シリコン層をソース・ドレインとし、前記ソース・ドレインを含んで前記第1の絶縁層上に前記ゲートと重ならないようにソース・ドレイン配線となる第2の金属層が選択的に形成されていることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-302438
特開平4-302438
特開昭64-011368

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