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J-GLOBAL ID：200903054081905400

プラズマ処理方法

Inventor： 大本 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063226
Publication number (International publication number)：1993267252
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】エッチングに対してイオンアシスト性が少ない材料の場合でもマイクロローディング効果を抑制するプラズマ処理方法を提供する。【構成】デポジション性ガスをエッチングガスに混合し、その量はデポジション速度とその化学エッチング速度がほぼ同じとなる量とする。また、イオンによって輸送されるエネルギーは最もアスペクト比が小さくエッチング速度の遅い部分のデポジション物質が全てイオンアシスト反応によってエッチングされる量またはそれ以下に設定する。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路等の製造工程において、アスペクト比の異なる複数の構造を同時にプラズマによってエッチング加工する際、デポジション性ガスを、デポジション速度と、そのデポジションのイオンアシストによらない化学エッチング速度がほぼ同じとなるように流量混合することを特徴とするプラズマ処理方法。