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J-GLOBAL ID：200903054082769763

ポリアミック酸エステルを用いた電子装置の製法

Inventor： 岡部 義昭 ,  三輪 崇夫 ,  鈴木 正博 ,  高橋 昭雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203540
Publication number (International publication number)：1994049207
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】テトラカルボン酸二無水物とアルコールとのハーフエステルとジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸エステルと極性溶媒とからなるワニスの粘度(樹脂分濃度が40重量%とき)が30Pa.s以下(但し、樹脂分濃度40重量%)のポリイミド前駆体ワニスを電子装置の絶縁層として塗布し、加熱硬化することにより熱膨張係数が(1.6〜2.2)×10~5/Kであるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とする電子装置の製法。【効果】本発明で用いたポリアミック酸エステルは分子間相互作用が小さいエステル基を有するため溶剤に対する溶解性が優れ、かつ、高濃度低粘度のワニスが得られる。従って、平坦性に優れた絶縁層が形成できる。また、加熱硬化後、その化学構造が直線構造のポリイミドとなるため低熱膨張性を示し、これを絶縁層とする電子装置は製造時間を短縮でき、高信頼性のものが得られる。

Claim (excerpt)：

テトラカルボン酸二無水物とアルコールとのハーフエステルとジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸エステルと極性溶媒とからなるワニスの粘度(樹脂分濃度が40重量%とき)が30Pa.s以下(但し、樹脂分濃度40重量%)のポリイミド前駆体ワニスを電子装置の絶縁層として塗布し、加熱硬化することにより熱膨張係数が(1.6〜2.2)×10~5/Kであるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とするポリアミック酸エステルを用いた電子装置の製法。

IPC (3)：

C08G 73/10 NTF ,  C09D179/08 PLX ,  H01L 21/312