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J-GLOBAL ID：200903054090189326

半導体発光装置

Inventor： 倉掛 博英 ,  松田 学
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992125974
Publication number (International publication number)：1993327128
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体発光装置に関し、光導波路の構造に依存しないで安定して低い反射率が得られることができる半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 光導波路構造を有し、該光導波路両端の端面の少なくともどちらか一方に高屈折率膜と低屈折率膜からなる反射防止膜を有する半導体発光装置において、該反射防止膜11が該端面上に形成されたセレン化亜鉛からなる高屈折率膜9膜と、該高屈折率膜9上に形成された少なくとも1層以上の屈折率が1.3 以上1.4 以下の低屈折率膜10とからなるように構成する。

Claim (excerpt)：

光導波路構造を有し、該光導波路両端の端面の少なくともどちらか一方に高屈折率膜と低屈折率膜からなる反射防止膜を有する半導体発光装置において、該反射防止膜(11)が該端面上に形成されたセレン化亜鉛からなる高屈折率膜(9)と、該高屈折率膜上に形成された少なくとも1層以上の屈折率が1.3 以上1.4 以下の低屈折率膜(10)からなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/04 ,  H04B 13/00

FI (2)：

H01L 31/02 C ,  H01L 31/04 F